PatViewer专利搜索
中国 新型 有效

一种磁控溅射镀膜装置 【EN】Magnetron sputtering plating device

申请(专利)号:CN201320623578.3国省代码:安徽 34
申请(专利权)人:【中文】芜湖长信科技股份有限公司【EN】Wuhu Token Sciences Co., Ltd.
温馨提示:Ctrl+D 请注意收藏,详细著录项请登录检索查看。 Please note the collection. For details, please search the home page.

摘要:
【中文】本实用新型揭示了一种磁控溅射镀膜装置,包括靶材和磁场,所述的靶材一侧固定有辅助阳极钼杆。通过该装置对阳极罩进行更改,可以在溅射过程中较均匀地刻蚀靶材,使靶材表面溅射沟道较平滑,提高靶材的利用率,同时又可以避免基片车及基板玻璃表面堆积电子产生异常放电现象造成玻璃表面打黑现象。 【EN】Paragraph:The utility model discloses a magnetron sputtering plating device which comprises a target material and a magnetic field, wherein an auxiliary anode molybdenum rod is arranged at one side of the target material. According to the device, the target material is uniformly etched in a magnetron sputtering process by modifying an anode cap, so that magnetron sputtering channels in the surface of the target material are very smooth. Thus, the utilization rate of the target material is increased; the phenomenon that the glass surface is cracked down due to the paradoxical discharge of electrons accumulated on the surface of a substrate base or baseboard glass is avoided at the same time.Image:201320623578.GIF

主权项:
【中文】一种磁控溅射镀膜装置,包括靶材(4)和磁场,其特征在于:所述的靶材(4)一侧固定有辅助阳极钼杆(5);所述的钼杆(5)其中一端与端部固定端面之间设有压簧(10);所述的钼杆(5)设有1‑4根并沿着靶材(4)延伸方向设置,其两端分别通过上夹具(7)、下夹具(8)以及螺丝(9)固定。 【EN】1. a magnetic control sputtering film plating device, comprises target (4) and magnetic field, it is characterized in that: described target (4) one sides are fixed with supplementary anode molybdenum rod (5); Described molybdenum rod (5) is wherein provided with stage clip (10) between the fixing end face in one end and end; Described molybdenum rod (5) is provided with 1-4 root and along target (4) bearing of trend setting, its two ends are fixing by upper fixture (7), lower clamp (8) and screw (9) respectively.


说明书

一种磁控溅射镀膜装置

技术领域


本实用新型涉及多跑道磁控溅射镀膜装置的阳极罩结构。


背景技术


磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩


原子发生碰撞,使其电离产生出Ar离子和新的电子;新电子飞向基片,同时受


电场与磁场共同作用下作螺旋运动,增加离子碰撞的概率。Ar离子在电场作用


下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,


中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。根据磁控溅射原理,在镀膜低电


阻产品时,因膜层厚度很大,对靶材溅射率要求很高。为保证生产效率,减少


平面靶更换周期,所以平面ITO靶材宽度约是镀常规产品ITO靶材宽度的2倍,


同时背面磁场设置为移动磁场,在镀膜时磁场沿靶材宽度方向来回移动,这样


可以保证宽靶材在溅射率大时也能延长靶材的更换周期。


目前的镀膜生产过程中,会发生靶材表面溅射不是很均匀,靶材中间区域


溅射较两侧慢,同时玻璃在靠近基片车杆及夹具位置会常出现异常放电造成的


打黑现象。


实用新型内容


本实用新型所要解决的技术问题是实现一种使磁场来回移动时在靶材中间


区域时能够有效的完成溅射,同时也可以将中间区域大量电子吸附导入大地,


使电子无法在玻璃基板及基片车上堆集,避免产生异常放电现象的磁控溅射镀


膜装置。


为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:一种磁控溅射镀膜装


置,包括靶材和磁场,所述的靶材一侧固定有辅助阳极钼杆。


所述的钼杆设有1-4根并沿着靶材延伸方向设置,其两端分别通过上夹具、


下夹具以及螺丝固定。


所述的钼杆其中一端与端部固定端面之间设有压簧。


所述的钼杆直径为5mm±1mm。


所述的阳极罩固定在门板上,靶材置于阳极罩凹槽内,所述的钼杆固定在


阳极罩上位于靶材外侧面,所述的靶材与阳极罩之间设有压条,所述靶材和钼


杆外侧设有门板。


所述的磁场由磁铁组构成并被电机控制来回移动的移动磁场。


通过该装置对阳极罩进行更改,可以在溅射过程中较均匀地刻蚀靶材,使


靶材表面溅射沟道较平滑,提高靶材的利用率,同时又可以避免基片车及基板


玻璃表面堆积电子产生异常放电现象造成玻璃表面打黑现象。


附图说明


下面对本实用新型说明书中每幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明:


图1为阳极罩正视结构图;


图2为阳极罩侧视结构图;


图3为图1中钼杆固定机构示意图;


上述图中的标记均为:1、门板;2、阳极罩;3、压条;4、靶材;5、钼杆;6、


移动磁场;7、上夹具;8、下夹具;9、螺丝;10、压簧。


具体实施方式


参见图1、2可知,磁控溅射镀膜装置靶材4置于阳极罩2凹槽内,靶材4


提供溅射物质的材料,阳极罩2优选不锈钢材料,用于吸附多余电子及阻挡溅


射材料溅到除玻璃基板外箱体其它地方,靶材4与阳极罩2之间设有压条3,压


条3用于保护铜板不被离子攻击,靶材4外侧设有门板1,门板为镀膜箱体的门,


磁控溅射镀膜装置的磁场为移动磁场,采用磁铁组并由电机控制来回移动。


本装置的改进主要是在靶材4与门板1之间设置辅助阳极材料,辅助阳极


采用易导电、熔点较高、化学性质稳定的材料制成,优选钼,并制成圆柱状,


且直径大小约为5MM,直径太大会阻挡溅射靶材物质到玻璃基板上,直径尺寸太


小辅助阳极效果不明显。钼杆5沿着靶材4延伸方向设置,可设置1-4根,优


选2根。


钼杆在工作过程中会热胀冷缩,因此不允许采取两端固定方式,参见图3,


固定时两端为夹片式的上夹具7和下夹具8,两端夹具通过螺丝9固定在阳极罩


2上下表面上,钼杆5其中一端与端部固定端面(夹具内端面)之间设有压簧


10,采取过渡机械配合方式固定。钼杆5工作时,材料表面会有许多氧化物及


各种杂质,需要停机拆下利用化学试剂进行清除,所以必须采用易于安装拆卸


的方式.利用螺丝9固定的上夹具7和下夹具8便于拆装。


此方法在原有装置上改装小,不需破坏原有阳极罩的构造,仅仅需要在原


有装置上增加两根钼杆,但能够在溅射过程中较均匀地刻蚀靶材,使靶材表面


溅射沟道较平滑,提高靶材的利用率,同时又可以避免基片车及基板玻璃表面


堆积电子产生异常放电现象造成玻璃表...

=>>详细说明书全文请登录检索查看

图1
©2018 IPPH.cn   PatViewer·专利搜索
主办单位:国家知识产权局知识产权出版社  咨询热线:01082000860-8588
浏览器:IE9及以上、火狐等  京ICP备09007110号 京公网安备 11010802026659号